第149章 纳米工艺锗碳芯片(2 / 2)

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基于锗碳芯片较之硅芯片要强大很多的性能,这个工艺制程研制出来的锗碳芯片,其性能相当于每平方毫米4000万个晶体管的硅芯片。

而现在7纳米工艺制程的硅芯片,其晶体管密度为每平方毫米5000万个。

也就是说,180纳米工艺制程的锗碳芯片在基础性能上较之7纳米工艺制程硅芯片要弱上20。

但这并不是不能解决的问题。

如果在布线等等方面略微改进,180纳米的锗碳芯片在性能上就能够和7纳米硅芯片相等。

当然,现在锗碳芯片的潜力还很大,完全不需要在这些方面改进。

赵小侯当场就给米来娣等三人颁发了每人100万的重奖,同时其他几个杂工也获得了十万的奖金。

并且他还宣布了一个好事,那就是米来娣等人的助理研究员职称已经过审,最多再过几天,就下来了。

毫无疑问,这对于米来娣等人称得上是双喜临门。

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